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参数资料
| 型号： | IRFR1010ZTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| 标准包装： | 6,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 42A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2840pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U1010ZPbF
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
55
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
R DS(on)
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.051
5.8
–––
7.5
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
m ? V GS = 10V, I D = 42A
V GS(th)
gfs
I DSS
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
2.0
31
–––
–––
–––
–––
4.0
–––
20
V
S
μA
V DS = V GS , I D = 100μA
V DS = 25V, I D = 42A
V DS = 55V, V GS = 0V
–––
–––
250
V DS = 55V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
63
17
23
17
76
42
48
200
-200
95
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nA
nC
ns
V GS = 20V
V GS = -20V
I D = 42A
V DS = 44V
V GS = 10V
V DD = 28V
I D = 42A
R G = 7.6 ?
V GS = 10V
L D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
Between lead,
D
L S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
nH
6mm (0.25in.)
from package
G
and center of die contact
S
C iss
C oss
Input Capacitance
Output Capacitance
–––
–––
2840
470
–––
–––
V GS = 0V
V DS = 25V
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
250
1630
360
560
–––
–––
–––
–––
pF
? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 44V, ? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 0V to 44V
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–––
42
MOSFET symbol
(Body Diode)
A
showing the
I SM
Pulsed Source Current
–––
–––
360
integral reverse
(Body Diode)
p-n junction diode.
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
24
20
1.3
36
30
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 42A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 42A, V DD = 28V
di/dt = 100A/μs
t on
2
Forward Turn-On Time
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
www.irf.com
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PDF描述 |
|---|---|
| IRFR1010ZTRLPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRFR1018ETRRPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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