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参数资料
| 型号： | IRFR111 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 80V的五（巴西）直| 4.4AI（四）|至252 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | IRFR111 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR13N20DTR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-252AA |
| IRFR13N20DTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-252AA |
| IRFR13N20DTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-252AA |
| IRFR18N15DTR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA |
| IRFR18N15DTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR1111 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.031ohm, Id=33A) |
| IRFR11N25D | 功能描述:MOSFET N-CH 250V DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR120 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR-120 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFR120_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-252AA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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