参数资料
型号: IRFR12N25DPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 1/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
标准包装: 75
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 14A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 260 毫欧 @ 8.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 810pF @ 25V
功率 - 最大: 144W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 管件
其它名称: *IRFR12N25DPBF
PD - 95353A
IRFR12N25DPbF
SMPS MOSFET
IRFU12N25DPbF
HEXFET ? Power MOSFET
Applications
l High frequency DC-DC converters
l Lead-Free
V DSS
250V
R DS(on) max
0.26 ?
I D
14A
Benefits
l
l
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C OSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Absolute Maximum Ratings
Parameter
D-Pak
IRFR12N25D
Max.
I-Pak
IRFU12N25D
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
14
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
V GS
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
9.7
56
144
0.96
± 30
9.3
A
W
W/°C
V
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
1.04
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
–––
–––
50
110
°C/W
Notes ? through ? are on page 10
www.irf.com
1
12/2/04
相关PDF资料
PDF描述
AML27ABK3AC26BC SWITCH KEYLOCK 3POS DP3T 3A
IRLU3303PBF MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
ISL43210AIHZ-T IC SWITCH SPDT SOT23-6
B32672L1103J000 CAP FILM 10000PF 1.6KVDC RADIAL
AML27ABK2AC31BL SWITCH KEYLOCK 3POS DPST 3A
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFR12N25DTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR12N25DTRLP 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR12N25DTRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR12N25DTRRP 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR130 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET