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参数资料
| 型号： | IRFR13N20DCTRLP |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 235 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 830pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR13N20D/IRFU13N20D
D-Pak (TO-252AA) Tape & Reel Information
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TR
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
TRR
TRL
16 .3 ( .641 )
15 .7 ( .619 )
12.1 ( .47 6 )
11.9 ( .46 9 )
F E E D D IR E C T IO N
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
FE E D D IR E C T IO N
N O T ES :
1 . C O N T R O LLIN G D IME N S IO N : M ILL IM ET E R .
2 . A LL D IM EN S IO N S A R E SH O W N IN M ILLIM ET E R S ( IN C H E S ).
3 . O U TL IN E C O N FO R MS T O E IA -481 & E IA -54 1.
1 3 IN C H
16 m m
N O TE S :
1. O U TL IN E C O N F O R M S T O E IA -481 .
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Starting T J = 25°C, L = 4.3mH
R G = 25 ? , I AS = 7.8A.
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? C oss eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time
as C oss while V DS is rising from 0 to 80% V DSS
? I SD ≤ 7.8A, di/dt ≤ 81A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 252-7105
IR GREAT BRITAIN: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR JAPAN: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 838 4630
IR TAIWAN: 16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
Data and specifications subject to change without notice. 2/2000
10
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR15N20DTRRP | MOSFET N-CH 200V 17A DPAK |
| IRFR18N15DTRPBF | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
| IRFR18N15DTRR | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
| IRFR1N60ATRRPBF | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK |
| IRFR220TRLPBF | MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR13N20DCTRRP | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR13N20DPBF | 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR13N20DTR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR13N20DTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR13N20DTRLP | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 14A 235mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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