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参数资料
| 型号： | IRFR15N20DTRRP |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 17A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 165 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 910pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U15N20DPbF
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd , Cds
Crss = C gd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
20
16
I D = 10A
V DS = 160V
V DS = 100V
V DS = 40V
1000
Ciss
12
100
Coss
8
10
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
1
10
100
1000
0
SEE FIGURE 13
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
0
10
20
30
40
Q G , Total Gate Charge (nC)
100
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 175 ° C
1000
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100
10
T J = 25 C
1
°
10
1
Tc = 25°C
100μsec
1msec
10msec
0.1
0.0
V GS = 0 V
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
Tj = 175°C
Single Pulse
10 100 1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR18N15DTRPBF | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
| IRFR18N15DTRR | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
| IRFR1N60ATRRPBF | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK |
| IRFR220TRLPBF | MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK |
| IRFR2407TRRPBF | MOSFET N-CH 75V 42A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR18N15 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET |
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| IRFR18N15DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 18A 3PIN DPAK - Bulk |
| IRFR18N15DPBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 125mOhms 28nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR18N15DTR | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 18A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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