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参数资料
| 型号： | IRFR210A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 200伏五（巴西）直| 2.7AI（四）|对252AA |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | IRFR210A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRFR212 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.1A I(D) | TO-252AA |
| IRFR214A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-252AA |
| IRFR222 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-251AA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR210B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| IRFR210BTF | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFR210BTF_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR210BTM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| IRFR210BTM_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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