参数资料
型号: IRFR2905ZPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 5/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
标准包装: 75
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 42A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14.5 毫欧 @ 36A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1380pF @ 25V
功率 - 最大: 110W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 管件
IRFR/U2905ZPbF
70
2.0
60
LIMITED BY PACKAGE
I D = 36A
VGS = 10V
50
1.5
40
30
20
10
1.0
0
25
50 75 100 125 150
T C , Case Temperature (°C)
175
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
10
Fig 10. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
τ J
τ J
τ 1
τ 1
R 1
R 1
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ 3
τ C
τ
Ri (°C/W) τ i (sec)
0.3962 0.00012
0.5693 0.00045
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Ci= τ i / Ri
Ci i / Ri
0.4129 0.0015
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig11. MaximumEffectiveTransientThermalImpedance,Junction-to-Case
www.irf.com
5
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