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参数资料
| 型号： | IRFR3504TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 30A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.2 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 71nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRFR3504TRPBFDKR |
IRFR/U3504PbF
15V
500
TOP
ID
12A
21A
VDS
L
DRIVER
400
BOTTOM
30A
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
300
200
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V (BR)DSS
100
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting Tj, Junction Temperature
( ° C)
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Q G
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
10 V
Q GS
Q GD
4.0
V G
Charge
3.5
3.0
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
2.5
I D = 250μA
- DS
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
2.0
1.5
V GS
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
3mA
I G
I D
T J , Temperature ( °C )
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
6
Fig 14. Threshold Voltage Vs. Temperature
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3706CTRLPBF | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK |
| IRFR3706TRLPBF | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK |
| IRFR3707TRLPBF | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK |
| IRFR3707ZCTRLP | MOSFET N-CH 30V 56A DPAK |
| IRFR3711ZTRRPBF | MOSFET N-CH 20V 93A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3504TRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 40V, 87A, 9.2 MOHM, 48 NC QG, D-PAK - Tape and Reel |
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| IRFR3504Z | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3504ZHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| IRFR3504ZPBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 30nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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