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参数资料
| 型号： | IRFR3706PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2410pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
IRFR/U3706PbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
20
–––
––– V
V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.021
––– V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
–––
Static Drain-to-Source On-Resistance –––
–––
6.9
8.1
11.5
9.0
11 m ?
23
V GS = 10V, I D = 15A
V GS = 4.5V, I D = 12A
V GS = 2.8V, I D = 7.5A
?
?
?
V GS(th)
Gate Threshold Voltage 0.6
–––
2.0 V
V DS = V GS , I D = 250μA
I DSS
Drain-to-Source Leakage Current
–––
–––
–––
–––
20
100
μA
V DS = 16V, V GS = 0V
V DS = 16V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
Gate-to-Source Forward Leakage –––
Gate-to-Source Reverse Leakage –––
–––
–––
200
-200
nA
V GS = 12V
V GS = -12V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
g fs
Q g
Q gs
Q gd
Q oss
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Output Gate Charge
53
–––
–––
–––
–––
–––
23
8.0
5.5
16
––– S V DS = 16V, I D = 57A
35 I D = 28A
12 nC V DS = 10V
8.3 V GS = 4.5V ?
24 V GS = 0V, V DS = 10V
Rg
Gate Resistance
–––
1.8
–––
?
t d(on)
t r
t d(off)
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
–––
–––
–––
6.8
87
17
––– V DD = 10V
ns
––– I D = 28A
––– R G = 1.8 ?
t f
C iss
C oss
C rss
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
4.8
2410
1070
140
––– V GS = 4.5V
––– V GS = 0V
––– pF V DS = 10V
––– ? = 1.0MHz
?
Avalanche Characteristics
Symbol
E AS
I AR
Parameter
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Typ.
–––
–––
Max.
220
28
Units
mJ
A
Diode Characteristics
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
–––
–––
75 ?
280
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
Diode Forward Voltage
–––
–––
0.88
0.82
1.3
–––
V
T J = 25°C, I S = 36A, V GS = 0V ?
T J = 125°C, I S = 36A, V GS = 0V ?
t rr
Q rr
t rr
Q rr
Reverse
Reverse
Reverse
Reverse
Recovery
Recovery
Recovery
Recovery
Time
Charge
Time
Charge
–––
–––
–––
–––
45
65
49
78
68
98
74
120
ns
nC
ns
nC
T J = 25°C, I F = 36A, V R =20V
di/dt = 100A/μs ?
T J = 125°C, I F = 36A, V R =20V
di/dt = 100A/μs ?
2
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