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参数资料
| 型号： | IRFR3707TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet DPak |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1990pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 87W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1522 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRFR3707PBFDKR |
IRFR/U3707PbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.027
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
m ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
9.7
13.2
13 V GS = 10V, I D = 15A
17.5 V GS = 4.5V, I D = 12A
?
?
V GS(th)
Gate Threshold Voltage 1.0
–––
3.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
I DSS
Drain-to-Source Leakage Current
–––
–––
–––
–––
20 V DS = 24V, V GS = 0V
μA
100 V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
Gate-to-Source Forward Leakage –––
Gate-to-Source Reverse Leakage –––
–––
–––
200 V GS = 16V
nA
-200 V GS = -16V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
––– I D = 24.8A
g fs
Q g
Q gs
Q gd
Q oss
t d(on)
t r
t d(off)
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Output Gate Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
37
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
19
8.2
6.3
18
8.5
78
11.8
––– S V DS = 15V, I D = 49.6A
––– I D = 24.8A
––– nC V DS = 15V
––– V GS = 4.5V ?
27 V GS = 0V, V DS = 15V
––– V DD = 15V
ns
––– R G = 1.8 ?
t f
C iss
C oss
C rss
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
3.3
1990
707
50
––– V GS = 4.5V
––– V GS = 0V
––– V DS = 15V
––– pF ? = 1.0MHz
?
Avalanche Characteristics
Symbol
E AS
I AR
Parameter
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Typ.
–––
–––
Max.
213
61
Units
mJ
A
Diode Characteristics
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
integral reverse
I S
I SM
V SD
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
Diode Forward Voltage
–––
–––
–––
–––
––– 61 ?
––– 244
0.88 1.3
0.8 –––
A
V
D
showing the
G
p-n junction diode. S
T J = 25°C, I S = 31A, V GS = 0V ?
T J = 125°C, I S = 31A, V GS = 0V ?
t rr
Q rr
t rr
Q rr
Reverse
Reverse
Reverse
Reverse
Recovery
Recovery
Recovery
Recovery
Time
Charge
Time
Charge
–––
–––
–––
–––
39
49
42
62
59
74
63
93
ns
nC
ns
nC
T J = 25°C, I F = 31A, V R =20V
di/dt = 100A/μs ?
T J = 125°C, I F = 31A, V R =20V
di/dt = 100A/μs ?
2
www.irf.com
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