- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384497 > IRFR3707ZPBF (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFR3707ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 261K |
| 代理商： | IRFR3707ZPBF |
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
ID
Limited By Package
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
VG
ID = 250μA
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.823 0.000128
1.698 0.000845
0.481 0.016503
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci=
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU3707ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707 | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=13mohm, Id=61A) |
| IRFR3707 | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=13mohm, Id=61A) |
| IRFR3709Z | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3709Z | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3707ZTR | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 56A, D-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dra |
| IRFR3707ZTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 56A 9.5mOhm 9.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3707ZTRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3707ZTRRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3708 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。