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参数资料
| 型号： | IRFR3711ZTRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 93A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 93A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2160pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U3711ZPbF
15V
600
ID
VDS
L
DRIVER
500
TOP 7.7A
8.9A
BOTTOM 12A
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
400
300
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
200
100
tp
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
V DS
L D
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
+
V DD -
D.U.T
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
V GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
50K ?
- DS
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
Fig 14a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
V GS
3mA
10%
I G
I D
V GS
Current Sampling Resistors
t d(on) t r t d(off)
6
Fig 13. Gate Charge Test Circuit
t f
Fig 14b. Switching Time Waveforms
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3910TRR | MOSFET N-CH 100V 16A DPAK |
| IRFR3911TRPBF | MOSFET N-CH 100V 14A DPAK |
| IRFR4105TRR | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK |
| IRFR5305TRR | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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