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参数资料
| 型号： | IRFR48ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | AUTOMOTIVE MOSFET |
| 中文描述： | 汽车MOSFET的 |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 391K |
| 代理商： | IRFR48ZPBF |
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0.0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
1.6 1.8
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
0
10
20
30
40
50
60
QG Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
VG
VDS= 44V
VDS= 28V
VDS= 11V
ID= 37A
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
DC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU48ZPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRFR5410PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFu5410PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR5505PBF | Ultra Low On-Resistance |
| IRFu5505PBF | Ultra Low On-Resistance |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR48ZTRLPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR48ZTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 62A 11mOhm 40nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR5305 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -28A, 65 MOHM, 42 NC QG, D-PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P D-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| IRFR5305CPBF | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR5305HR | 制造商:IR 功能描述:HIREL part for Textron |
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