参数资料
型号: IRFR5505PBF
厂商: International Rectifier
英文描述: Ultra Low On-Resistance
中文描述: 超低导通电阻
文件页数: 8/10页
文件大小: 1407K
代理商: IRFR5505PBF
8
www.irf.com
12
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
ASSEMBLED ON WW 16, 1999
EXAMPLE:
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 1234
THIS IS AN IRFR120
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
LINE A
DATE CODE
PART NUMBER
LOGO
INTERNATIONAL
RECTIFIER
ASSEMBLY
LOT CODE
916A
34
IRFU120
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
A = ASSEMBLY SITE CODE
DATE CODE
P = DESIGNATES LEAD-FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
OR
Note: "P" in assembly line position
indicates "Lead-Free"
12
34
PART NUMBER
IRFU120
LOGO
LOT CODE
ASSEMBLY
INTERNATIONAL
RECTIFIER
相关PDF资料
PDF描述
IRFu5505PBF Ultra Low On-Resistance
IRFR9014PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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相关代理商/技术参数
参数描述
IRFR5505TR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -18A, 110 mOhm, 21.3 nC Qg, D-Pak
IRFR5505TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 18A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRFR5505TRL 功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR5505TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -18A 110mOhm 21.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR5505TRPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube