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参数资料
| 型号： | IRFR6215TRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 150V 13A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 295 毫欧 @ 6.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U6215
14
12
R G
V GS
V DS
R D
D.U.T.
10
8
-10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
V DD
6
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
4
2
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
10%
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature ( ° C)
90%
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
V DS
Case Temperature
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
1
D = 0 .5 0
0 .2 0
0 .1 0
0 .0 5
P D M
0.1
0 .0 2
t
1
0 .0 1
S IN G L E P U L S E
N o te s :
t2
(T H E R M A L R E S P O N S E )
1 . D u ty f ac to r D = t
1
/t
2
0.01
2 . P e a k T J = P D M x Z th J C + T C
A
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , R e cta n g u la r P uls e D u ratio n (se c )
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
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参数描述 |
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| IRFR6215TRRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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