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参数资料
| 型号： | IRFR9010 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| 中文描述： | 的P -沟道功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 306K |
| 代理商： | IRFR9010 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR9014 | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRFR9020TR | 9.9 A, 50 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| IRC540-008PBF | 29 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRC540-007 | 29 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRC540-008 | 29 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR9010PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 5.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9010TR | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9010TRL | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9010TRLPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9010TRPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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