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参数资料
| 型号： | IRFR9024NTRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 55V 11A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 175 毫欧 @ 6.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 38W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U9024N
Package Outline
TO-251AA Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
6.73 (.265)
6.35 (.250)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
-A-
1.27 ( .050)
0.88 ( .035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LEAD AS SIG NMENT S
4
6.45 (.245)
5.68 (.224)
1 - G AT E
2 - DRA IN
3 - S OURCE
1.52 ( .060)
1.15 ( .045)
6.22 ( .245)
5.97 ( .235)
4 - DRA IN
-B -
1
2
3
NOT ES :
1 DIME NSIO NING & T OLE RANCING P ER A NSI Y14.5M, 1982.
2.28 (.090)
1.91 (.075)
9.65 (.380)
8.89 (.350)
2 CO NTRO LLIN G DIMENS ION : INCH.
3 CO NFO RMS TO J EDE C O UT LINE TO -252AA .
4 DIME NSIO NS SHOW N A RE BEF O RE SO LDER DIP ,
SO LDER DIP MA X. +0.16 (.006).
3X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
3X
0.89 (.035)
0.64 (.025)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
2.28 (.090)
2X
0.25 (.010)
M A M B
0.58 (.023)
0.46 (.018)
Part Marking Information
TO-251AA (I-Pak)
E X A M P LE : TH IS IS A N IR F U1 20
W IT H A S S E M B LY
LO T C O D E 9U 1P
IN TE RN A T IO N A L
R E C T IF IE R
LO GO
IR F U
120
F IR S T P O RT IO N
O F P A R T N UM B E R
A S S E M B LY
LO T C O D E
9U
1P
S E C O N D P O R T ION
OF PART NUMBER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P23492 | SWITCH UNISWITCH PUSHBUTTON BLK |
| P23498 | SWITCH UNISWITCH PUSHBUTTON YEL |
| 752708000 | CAP SWITCH .122" PB PLUNGER BRN |
| IRL3402STRR | MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK |
| IRL3402STRL | MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR9024NTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V 11A 175mOhm 12.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9024NTRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9024NTRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 55 V 38 W 19 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA |
| IRFR9024NTRR | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 11A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR9024NTRRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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