- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18556 > IRFR9024TRLPBF (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFR9024TRLPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 5.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 570pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR9024, IRFU9024, SiHFR9024, SiHFU9024
www.vishay.com
D.U.T.
Peak Dio d e Recovery d V/ d t Test Circuit
Circuit layout con s ideration s
? Low stray inductance
? G round plane
? Low leakage inductance
current tran s former
Vishay Siliconix
-
+
R g
? dV/dt controlled by R g
? I S D controlled by duty factor “D”
? D.U.T. - device under te s t
+
-
V DD
Note
? Compliment N-Channel of D.U.T. for driver
Driver gate drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
V GS = - 10 V a
D.U.T. l S D waveform
Rever s e
recovery
Body diode forward
current
Re-applied
D.U.T. V D S waveform
current
dI/dt
Diode recovery
dV/dt
V DD
voltage
Inductor current
Body diode forward drop
Ripple ≤ 5 %
I S D
Note
a. V GS = - 5 V for logic level and - 3 V drive device s
Fig. 14 - For P-Channel
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?91278 .
S13-0168-Rev. D, 04-Feb-13
7
Document Number: 91278
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DCF.91.050.2LT | TOOL CONTACT EXTRACTION |
| SI7328DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 |
| 3352K-1-502 | POT 5.0K OHM THUMBWHEEL CERM ST |
| 3352K-1-501 | POT 500 OHM THUMBWHEEL CERM ST |
| ASEMPC-150.000MHZ-LY-T3 | OSC 150.000 MHZ CMOS MEMS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR9024TRPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9024TRR | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR9024TRRPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9025 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-252AA |
| IRFR9110 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。