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参数资料
| 型号： | IRFR9121 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 5.9 A, 80 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | IRFR9121 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IM1P-67202AV-25 | 1K X 9 OTHER FIFO, 25 ns, CDIP28 |
| IM3P-67202AL-45 | 1K X 9 OTHER FIFO, 45 ns, PDIP28 |
| IMDP-67202AL-25 | 1K X 9 OTHER FIFO, 25 ns, CDFP28 |
| IM1P-67202AV-25SHXXX | 1K X 9 OTHER FIFO, 25 ns, CDIP28 |
| IM8R-67025V-45 | 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 45 ns, CPGA84 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR9210 | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRFR9210TF | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:IRFR9210TF |
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