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参数资料
| 型号： | IRFS11N50ATRL |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 520 毫欧 @ 6.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 52nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1423pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 170W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFS11N50A, SiHFS11N50A
www.vishay.com
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Vishay Siliconix
Fig. 12d - Typical Drain-to-Source Voltage
vs. Avalanche Current
Current regulator
Same type as D.U.T.
50 k Ω
V GS
Q G
12 V
0.2 μF
0.3 μF
+
Q GS
Q GD
D.U.T.
-
V DS
V G
V GS
3 mA
Charge
I G
I D
Current sampling resistors
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
S13-1927-Rev. E, 09-Sep-13
6
Document Number: 91286
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASSFLP1-C01 | OSC PROG 2.5V 50PPM CTR SPRD SMD |
| ASSFLP-R-D16 | OSC PROG 3.3V 25PPM DWN SPRD SMD |
| ASSFLP-R-D15 | OSC PROG 3.3V 25PPM DWN SPRD SMD |
| ASSFLP-R-D14 | OSC PROG 3.3V 25PPM DWN SPRD SMD |
| ASSFLP-R-D13 | OSC PROG 3.3V 25PPM DWN SPRD SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS11N50ATRLP | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS11N50ATRLPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFS11N50ATRR | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFS11N50ATRRP | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS11N50ATRRPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
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