IRFS1Z0 PDF资料下载(1/1 页)TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS

相关PDF资料	PDF描述
IRFU9221	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 3.6A I(D) \| TO-251AA
IRFR111	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 4.4A I(D) \| TO-252
IRFR13N20DTR	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-252AA
IRFR13N20DTRL	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-252AA
IRFR13N20DTRR	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-252AA

相关代理商/技术参数	参数描述
IRFS1Z3	制造商:未知厂家制造商全称:未知厂家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 750MA I(D) \| TO-243AA
IRFS23N15D	功能描述:MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFS23N15DHR	制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRFS23N15DPBF	制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 150V, RDS(ON) 0.09Ohm, ID 23A, D2Pak, PD 136W, VGS +/-30V, -55 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 23A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 23A, D2-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D
IRFS23N15DTRLP	功能描述:MOSFET MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

相关代理商/技术参数

参数描述

功能描述:MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFS23N15DHR

制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

IRFS23N15DPBF

制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 150V, RDS(ON) 0.09Ohm, ID 23A, D2Pak, PD 136W, VGS +/-30V, -55 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 23A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 23A, D2-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D

IRFS23N15DTRLP

功能描述:MOSFET MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

型号：	IRFS1Z0
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 820MA I(D) \| TO-243AA
中文描述：	晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 100V的五（巴西）直\| 820MA（丁）\|对243AA
文件页数：	1/1页
文件大小：	55K
代理商：	IRFS1Z0

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式