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参数资料
| 型号： | IRFS23N20D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 86nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1960pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFS23N20D |
IRFB/IRFS/IRFSL23N20D
TO-220AB Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2 .8 7 (.1 1 3 )
2 .6 2 (.1 0 3 )
1 0 .5 4 (.4 1 5 )
1 0 .2 9 (.4 0 5 )
3 .7 8 (.1 4 9 )
3 .5 4 (.1 3 9 )
-A -
4 .6 9 (.1 8 5 )
4 .2 0 (.1 6 5 )
-B -
1 .3 2 (.0 5 2 )
1 .2 2 (.0 4 8 )
6.4 7 (.2 5 5 )
1 5 .2 4 (.6 0 0 )
1 4 .8 4 (.5 8 4 )
4
6.1 0 (.2 4 0 )
1 .1 5 (.0 4 5 )
M IN
L E A D A S S IG N M E N T S
1 - GATE
1
2
3
2 - D R A IN
3 - S OU RC E
4 - D R A IN
1 4 .0 9 (.5 5 5 )
1 3 .4 7 (.5 3 0 )
4 .0 6 (.1 6 0 )
3 .5 5 (.1 4 0 )
3X
1 .4 0 (.0 5 5 )
1 .1 5 (.0 4 5 )
0 .9 3 (.0 3 7 )
3X
0 .6 9 (.0 2 7 )
0 .3 6 (.0 1 4 )
M
B A M
0 .5 5 (.0 2 2 )
3X
0 .4 6 (.0 1 8 )
2 .9 2 (.1 1 5 )
2 .5 4 (.1 0 0)
2X
N O TE S :
1 D IM E N S IO N IN G & T O L E R A N C IN G P E R A N S I Y 1 4 .5 M , 1 9 8 2 .
2 C O N T R O L L IN G D IM E N S IO N : IN C H
2 .6 4 (.1 0 4 )
3 O U T L IN E C O N F O R M S T O J E D E C O U T L IN E T O -2 2 0 A B .
4 H E A T S IN K & L E A D M E A S U R E M E N T S D O N O T IN C L U D E B U R R S .
TO-220AB Part Marking Information
E X A M P L E : T H IS IS A N IR F 1 0 1 0
W IT H A S S E M B L Y
LOT C ODE 9B1M
IN T E R N A T IO N A L
R E C T IF IE R
LOGO
IR F 1 0 1 0
9246
A
PART NU M BER
8
ASSEMBLY
LOT CODE
9B 1M
D ATE CO DE
(Y Y W W )
YY = YEAR
W W = W EEK
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT4012FJ | CAP RND GRN/CLR POLY FOR LB SER |
| G3B25AB-XC | SWITCH PUSH DPDT 0.4VA 28V |
| IRFS23N15D | MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK |
| G3B25AB-XA | SWITCH PUSH DPDT 0.4VA 28V |
| AT4176JF | CAP SQ CLEAR/GRN FOR LB LED SER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS23N20DPBF | 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 100mOhms 57nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS23N20DTRLP | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 24A 100mOhm 57nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS23N20DTRRP | 功能描述:MOSFET 200V Single NChannel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS240 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS240A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET (200V, 0.18ohm, 12.8A) |
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