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参数资料
| 型号： | IRFS33N15D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 56 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2020pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFS33N15D |
IRFB/IRFS/IRFSL33N15D
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
20
I D = 20A
10000
Ciss = C gs + Cgd, C ds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
16
V DS = 120V
V DS = 75V
V DS = 30V
1000
Ciss
Coss
12
8
100
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
10
1
10
100
1000
0
0
20
40
SEE FIGURE 13
60 80
100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
T J = 175 ° C
100
10us
10
100us
1
T J = 25 ° C
10
1ms
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V GS = 0 V
1.2
1.4
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
10ms
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UB16SKW035C-CC | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 5A 125V |
| T491A685M020AT | CAP TANT 6.8UF 20V 20% 1206 |
| IRFS23N20D | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK |
| AT4012FJ | CAP RND GRN/CLR POLY FOR LB SER |
| G3B25AB-XC | SWITCH PUSH DPDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS33N15DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 33A 3PIN D2PAK - Bulk |
| IRFS33N15DPB | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:High frequency DC-DC converters |
| IRFS33N15DPBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 56mOhms 60nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS33N15DTRLP | 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 33A 56mOhm 60nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS340 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR |
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