型号: | IRFS530 |
厂商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | Advanced Power MOSFET |
中文描述: | 先进的功率MOSFET |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 261K |
代理商: | IRFS530 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IRFS530A | Advanced Power MOSFET |
IRFS540A | Advanced Power MOSFET |
IRFS540 | Advanced Power MOSFET |
IRFS550A | Advanced Power MOSFET |
IRFS620A | N-Channel Power MOSFET(200V,0.8Ω,4.1A)(N沟道功率MOS场效应管(漏源电压200V,导通电阻0.8Ω,漏电流4.1A)) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IRFS530A | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFS531 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | SOT-186 |
IRFS540 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
IRFS540A | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFS541 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 17A I(D) | SOT-186 |