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参数资料
| 型号： | IRFSL9N60A |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | IRFSL9N60A |
IRFSL9N60A
HEXFET
Power MOSFET
12/23/98
www.irf.com
1
PD - 91814A
Parameter
Max.
9.2
5.8
37
170
1.3
± 30
5.0
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
SMPS MOSFET
Absolute Maximum Ratings
l
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l
Uninterruptable Power Supply
l
High speed power switching
l
This device is only for through hole
application.
Benefits
Applications
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
V
DSS
600V
Rds(on) max
0.75
I
D
9.2A
Applicable Off Line SMPS Topologies:
l
Active Clamped Forward
l
Main Switch
Notes
through
are on page 8
S
D
G
TO-262
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