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参数资料
| 型号： | IRFU014A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-251AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 60V的五（巴西）直| 8.2AI（四）|对251AA |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | IRFU014A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU034A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-251AA |
| IRFR015 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6.7A I(D) | TO-252AA |
| IRFR020 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252AA |
| IRFR024A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252AA |
| IRFR025 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU020 | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 15 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU020PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 15 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU022 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-251AA |
| IRFU024 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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