- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17646 > IRFU12N25DPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFU12N25DPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 260 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 810pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 144W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFU12N25DPBF |
IRFR/U12N25DPbF
D-Pak (TO-252AA) Package Outline
D-Pak (TO-252AA) Part Marking Information
EXAMPLE: THIS IS AN IRFR120
WITH AS S EMBLY
LOT CODE 1234
AS S EMBLED ON WW 16, 1999
INTE RNATIONAL
RECT IFIER
LOGO
IRFU120
916A
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 9 = 1999
IN T HE AS S EMBLY LINE "A"
Note: "P" in assembly line position
indicates "Lead-Free"
AS S EMBLY
LOT CODE
12
34
WEEK 16
LINE A
OR
PART NUMBER
INT ERNATIONAL
8
RECTIFIER
LOGO
AS S EMBLY
LOT CODE
IRFU120
12 34
DATE CODE
P = DES IGNATES LEAD-FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
A = AS S E MBLY S ITE CODE
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLU4343PBF | MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK |
| X9313UPZ | IC DGTL POT 32POS 50K UP/DN 8DIP |
| EL8172FSZ-T7A | IC AMP INSTR RRIO MCRPWR 8SOIC |
| ISL6414IRZ-TK | IC REG LDO TRPL OUTP 16QFN |
| ISL23325TFVZ | IC DGTL POT 256POS 100K 14TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU130 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRFU130A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRFU130ATU | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU13N15D | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 14A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU13N15DPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 150V 14A I-PAK |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。