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参数资料
| 型号： | IRFU4105 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFU4105 |
IRFR/U4105
1200
1000
V GS
C is s
C rs s
C iss C o s s
=
=
=
=
0V, f = 1MHz
C g s + C g d , C d s S H O R TE D
C gd
C ds + C gd
20
16
I D = 16 A
V DS = 44V
V DS = 28V
800
C o ss
12
600
8
400
C rss
200
4
FO R TE S T C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
10
20
S E E F IG U R E 1 3
30
40
A
1000
100
V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
100
Q G , T otal G ate C h arge (n C )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
10μ s
T J = 17 5°C
10
T J = 25 °C
10
100μ s
1m s
V G S = 0V
1
0.4
0.8
1.2
1.6
A
2.0
1
1
T C = 25 °C
T J = 17 5°C
S ing le P u lse
10
100
A
4
V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1301770009 | STATIC REEL - 50FT/15.24M |
| 403C35D27M00000 | CRYSTAL 27.0 MHZ 18 PF SMD |
| AT4054BJ | CAP RND WHT/CLR FOR LB PNL SEAL |
| AT4055JG | CAP INSERT RND CL/BL LB PNL SEAL |
| UB15NKW015D | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 5A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU4105PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU4105Z | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU4105ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU4105ZPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:48W |
| IRFU4105ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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