- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384497 > IRFU4105ZPBF (International Rectifier) AUTOMOTIVE MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFU4105ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | AUTOMOTIVE MOSFET |
| 中文描述： | 汽车MOSFET的 |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 278K |
| 代理商： | IRFU4105ZPBF |
www.irf.com
3
0
1
1
10
100
0.1
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
4.5V
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
Vs. Drain Current
1
1
10
100
0.1
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
4.5V
4
5
6
7
8
9
10
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0
1
10
100
1000
ID
(
)
VDS = 25V
60μs PULSE WIDTH
TJ = 25°C
TJ = 175°C
0
10
20
30
40
ID, Drain-to-Source Current (A)
0
5
10
15
20
25
30
G
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 8.0V
380μs PULSE WIDTH
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR48ZPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRFU48ZPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRFR5410PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFu5410PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR5505PBF | Ultra Low On-Resistance |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU4105ZPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:48W |
| IRFU4105ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU4105ZTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU4105ZTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU410A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。