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参数资料
| 型号： | IRFu5410PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | IRFU5410PBF |
www.irf.com
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T = 25 C
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-V , Drain-to-Source Voltage (V)
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T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-4.5V
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VDS
20μs PULSE WIDTH
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
-
D
T = 25 C
°
T = 150 C
°
-60 -40 -20
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40
60
80 100 120 140 160
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2.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
-10V
-14A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR5505PBF | Ultra Low On-Resistance |
| IRFu5505PBF | Ultra Low On-Resistance |
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| IRFU9014PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRFU5505GPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance |
| IRFU5505HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 18A 3PIN IPAK - Bulk |
| IRFU5505PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -55V -18A 110mOhm 21.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU6215 | 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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