参数资料
型号: IRFU6215
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
标准包装: 75
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 13A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 295 毫欧 @ 6.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 860pF @ 25V
功率 - 最大: 110W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
其它名称: *IRFU6215
IRFR/U6215
14
12
R G
V GS
V DS
R D
D.U.T.
10
8
-10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
V DD
6
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
4
2
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
10%
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature ( ° C)
90%
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
V DS
Case Temperature
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
1
D = 0 .5 0
0 .2 0
0 .1 0
0 .0 5
P D M
0.1
0 .0 2
t
1
0 .0 1
S IN G L E P U L S E
N o te s :
t2
(T H E R M A L R E S P O N S E )
1 . D u ty f ac to r D = t
1
/t
2
0.01
2 . P e a k T J = P D M x Z th J C + T C
A
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , R e cta n g u la r P uls e D u ratio n (se c )
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
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PDF描述
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REC3-4812SRW/H/B/SMD-R CONV DC/DC 3W 36-72VIN 12VOUT
P51-75-A-E-D-4.5OVP-000-000 SENSOR 75PSI 3/8-24UNF .5-4.5V
P51-3000-A-W-I12-20MA-000-000 SENSOR 3000PSI 1/8-27NPT 4-20MA
P51-750-A-H-D-4.5V-000-000 SENSOR 750PSI M12-1.5 6G .5-4.5V
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参数描述
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IRFU9010PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 5.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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