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参数资料
| 型号： | IRFW540 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | Advanced Power MOSFET |
| 中文描述： | 先进的功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | IRFW540 |
IRFW/I540A
6
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by
G
I
S
controlled by Duty Factor
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFWI540A | Advanced Power MOSFET |
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| IRFW624B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFJ240 | N - CHANNEL POWER MOSFET FOR HI?REL APPLICATIONS |
| IRFM110A | Advanced Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFW540A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRFW540ATM | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFW550A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRFW550ATM | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFW610A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-263AB |
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