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参数资料
| 型号： | IRFZ14L |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262 |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 60V的五（巴西）直| 10A条（丁）|至262 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | IRFZ14L |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ14S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ14STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ14STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ15 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.3A I(D) | TO-220AB |
| IRFZ30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFZ14LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ14PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ14S | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ14S/L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology / Surface Mount (IRFZ14S) |
| IRFZ14SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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