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参数资料
| 型号： | IRFZ14L |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 10A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFZ14L |
Package Information
Vishay Siliconix
TO-263AB (HIGH VOLTAGE)
A
(Dat u m A)
3
4
A
A
B
E
c2
4
L1
4
Ga u ge
H
plane
0° to 8 °
B
D
L2
B
1
B
2
C
3
C
H
5
Detail A
L3
L
L4
Detail “A”
Rotated 90° CW
scale 8 :1
A1
Seating plane
2 x b 2
2x b
c
A
2xe
0.010 M A M B
± 0.004 M B
E
Base
Plating
(c)
5
b 1, b 3
metal
5
c1
D1
4
( b , b 2)
Lead tip
MILLIMETERS
Section B - B and C - C
Scale: none
INCHES
E1
V ie w A - A
MILLIMETERS
4
INCHES
DIM.
A
A1
b
MIN.
4.06
0.00
0.51
MAX.
4.83
0.25
0.99
MIN.
0.160
0.000
0.020
MAX.
0.190
0.010
0.039
DIM.
D1
E
E1
MIN.
6.86
9.65
6.22
MAX.
-
10.67
-
MIN.
0.270
0.380
0.245
MAX.
-
0.420
-
b1
0.51
0.89
0.020
0.035
e
2.54 BSC
0.100 BSC
b2
b3
c
c1
1.14
1.14
0.38
0.38
1.78
1.73
0.74
0.58
0.045
0.045
0.015
0.015
0.070
0.068
0.029
0.023
H
L
L1
L2
14.61
1.78
-
-
15.88
2.79
1.65
1.78
0.575
0.070
-
-
0.625
0.110
0.066
0.070
c2
1.14
1.65
0.045
0.065
L3
0.25 BSC
0.010 BSC
D
8.38
9.65
0.330
0.380
L4
4.78
5.28
0.188
0.208
ECN: S-82110-Rev. A, 15-Sep-08
D W G: 5970
Notes
1. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M-1994.
2. Dimensions are shown in millimeters (inches).
3. Dimension D and E do not include mold flash. Mold flash shall not exceed 0.127 mm (0.005") per side. These dimensions are measured at the
outmost extremes of the plastic body at datum A.
4. Thermal PAD contour optional within dimension E, L1, D1 and E1.
5. Dimension b1 and c1 apply to base metal only.
6. Datum A and B to be determined at datum plane H.
7. Outline conforms to JEDEC outline to TO-263AB.
Document Number: 91364
Revision: 15-Sep-08
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
|---|---|
| 3362X-1-205LF | TRIMMER 2M OHM 0.5W TH |
| 3362X-1-200LF | TRIMMER 20 OHM 0.5W TH |
| NP0115HG03NN-A | SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 28V |
| NP0115AG03NN-H | SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 28V |
| NP0115AG03NN-C | SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFZ14LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ14PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ14S | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ14S/L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology / Surface Mount (IRFZ14S) |
| IRFZ14SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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