型号: | IRFZ14STRL |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
中文描述: | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 60V的五(巴西)直| 10A条(丁)|对263AB |
文件页数: | 3/5页 |
文件大小: | 279K |
代理商: | IRFZ14STRL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFZ14STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
IRFZ15 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.3A I(D) | TO-220AB |
IRFZ30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
IRFZ32 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB |
IRFZ34A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFZ14STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRFZ14STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRFZ15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.3A I(D) | TO-220AB |
IRFZ20 | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFZ20FI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | TO-220AB |