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参数资料
| 型号： | IRFZ24VS |
| 英文描述： | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
| 中文描述： | 单60V的N沟道HEXFET功率MOSFET的一项D2 - PAK封装 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 331K |
| 代理商： | IRFZ24VS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ25 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB |
| IRFZ24N | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor(N沟道增强型 TrenchMOS 晶体管) |
| IRFZ44N | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| IRFZ44NS | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| IRFZ44 | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFZ24VSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 17A D2-PAK |
| IRFZ25 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB |
| IRFZ30 | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ30PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ32 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB |
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