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参数资料
| 型号： | IRFZ34NSTRR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 55V的五（巴西）直|第29A条（丁）|对263AB |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | IRFZ34NSTRR |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ34S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ34STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ34STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ34V | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
| IRFZ12 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFZ34NSTRRPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ34PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ34S | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ34S_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ34SPBF | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V - Tape and Reel |
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