IRFZ45-002 PDF资料下载(1/1 页)50 A, 60 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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相关代理商/技术参数	参数描述
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IRFZ46N_04	制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET(VDSS = 55V,RDS(on) = 16.5mヘ,ID = 53A)
IRFZ46NL	功能描述:MOSFET N-CH 55V 53A TO-262 RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

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型号：	IRFZ45-002
元件分类：	JFETs
英文描述：	50 A, 60 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件页数：	1/1页
文件大小：	42K
代理商：	IRFZ45-002

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