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参数资料
| 型号： | IRG4CC20MB |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五（巴西）国际消费电子展|芯片 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | IRG4CC20MB |
IRG4BC30W-S
6
www.irf.com
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
SAFE OPERATING AREA
V = 20V
T = 125°C
0
5
10
15
20
25
30
0.0
0.5
1.0
1.5
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
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PDF描述 |
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参数描述 |
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