参数资料
型号: IRG4CC50UB
文件页数: 6/8页
文件大小: 188K
代理商: IRG4CC50UB
IRG4BC30W-S
6
www.irf.com
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
SAFE OPERATING AREA
V = 20V
T = 125°C
0
5
10
15
20
25
30
0.0
0.5
1.0
1.5
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
相关PDF资料
PDF描述
IRG4CC50WB
IRG4CC58KB TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP
IRG4CC70UB
IRG4CC72KB
IRG4CC77KB TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP
相关代理商/技术参数
参数描述
IRG4CC50WB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
IRG4CC58KB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP
IRG4CC70UB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
IRG4CC71KB 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:IRG4CC71KB IGBT Die in Wafer Form
IRG4CC72KB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: