型号: | IRG4PF40UD |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
中文描述: | FIT率/等效器件小时 |
文件页数: | 1/35页 |
文件大小: | 112K |
代理商: | IRG4PF40UD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRG4PG40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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IRG4PG40SD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
IRG4PG40UD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRG4PF50W | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
IRG4PF50WD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
IRG4PF50WD-201P | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
IRG4PF50WDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRG4PF50WPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |