型号: | IRG4PH50UD |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A) |
中文描述: | 绝缘栅双极型晶体管,超快软恢复二极管(VCES和\u003d 1200伏,的Vce(on)典型.\u003d 2.78V,@和VGE \u003d 15V的,集成电路\u003d 24A条) |
文件页数: | 2/10页 |
文件大小: | 224K |
代理商: | IRG4PH50UD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRG4PH50UDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRG4PH50U | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A) |
IRG4PSC71KDPBF | INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast IGBT |
IRG4PSC71UDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRG4PSH71KDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRG4PH50UDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRG4PH50UPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 5-40KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRG4PSC71K | 功能描述:IGBT UFAST 600V 85A SUPER-247 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
IRG4PSC71KD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 85A SUPER-247 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
IRG4PSC71KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |