- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377518 > IRG4PSC71KDPBF (International Rectifier) INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRG4PSC71KDPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast IGBT |
| 中文描述： | INSUKATED GATEBIPOLAR晶体管超快软恢复二极管短路额定IGBT的超快速 |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 456K |
| 代理商： | IRG4PSC71KDPBF |
10
www.irf.com
Data and specifications subject to change without notice.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
.
09/04
Case Outline and Dimensions — Super-247
Super-247 (TO-274AA) Part Marking Information
ASSEMBLY LOT CODE
TOP
EXAMPLE: THIS IS AN IRFPS37N50A WITH
ASSEMBLY LOT CODE 1789
ASSEMBLED ON WW 19, 1997
IN THE ASSEMBLY LINE "C"
INTERNATIONAL RECTIFIER
LOGO
89
IRFPS37N50A
17
PART NUMBER
Note: "P" in assembly line position
indicates "Lead-Free"
719C
DATE CODE
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
LINE C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PSC71UDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4PSH71KDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4RC10KDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4RC10KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
| IRG4RC10 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4PSC71KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4PSC71U | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT |
| IRG4PSC71UD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT |
| IRG4PSC71UDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4PSC71UPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。