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参数资料
| 型号： | IRG4RC10STR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五（巴西）国际消费电子展| 8A条一（c）|至252AA |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | IRG4RC10STR |
IRG4RC10S
Standard Speed IGBT
8/30/99
www.irf.com
1
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
D-PAK
TO-252AA
Parameter
Max.
600
14
8.0
18
18
± 20
110
38
15
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
W
Features
Extremely low voltage drop; 1.0V typical at 2A, 100°C
Standard: Optimized for minimum saturation
voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generation
Industry standard TO-252AA package
Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available
IGBT's optimized for specified application conditions
Benefits
Thermal Resistance
°C/W
Parameter
Typ.
–––
–––
0.3 (0.01)
Max.
3.3
50
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Weight
g (oz)
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
E
C
G
n-channel
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 1.10V
@V
GE
= 15V, I
C
= 2.0A
PD - 91732A
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4RC10STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA |
| IRG4RC10STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA |
| IRG4ZC71KD | |
| IRG4ZH70UD | |
| IRG4ZH71KD | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4RC10STRL | 功能描述:IGBT STD 600V 14A LEFT D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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| IRG4RC10U | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT |
| IRG4RC10UD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 8.5A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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