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参数资料
| 型号： | IRGBF20 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A) |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管（的Vce \u003d 900V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 5.3A） |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 255K |
| 代理商： | IRGBF20 |
C-242
IRGBF20F
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
0
2
4
6
8
10
12
T
I , Collector-to-Emitter Current (A)
R = 50
T = 150°C
V = 720V
V = 15V
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
SAFE OPERATING AREA
V = 20V
T = 125°C
Refer to Section D for the following:
Appendix F: Section D - page D-8
Fig. 13a - Clamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 13b - Pulsed Collector Current Test Circuit
Fig. 14a - Switching Loss Test Circuit
Fig. 14b - Switching Loss Waveform
Package Outline 1
- JEDEC Outline TO-220AB
Section D - page D-12
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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