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参数资料
| 型号： | IRGDDN400M12 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | POWER, DOUBLE INT-A-PAK-4 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | IRGDDN400M12 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHF597130 | 6.7 A, 100 V, 0.24 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| IRHF7110SCV | 3.5 A, 100 V, 0.69 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| IRHM57064SCS | 35 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| IRKH136-16D25 | 300 A, 1600 V, SCR |
| IRKH230-14D20PBF | 510 A, 1400 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGDI520S02 | 功能描述:整流器 250 Volt IRCI RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| IRGI4045DPBF | 功能描述:IGBT 600V 11A W/DIO TO-220AB FP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRGI4045DPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT 600V |
| IRGI4055PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 36A 3PIN TO-220AB FULLPAK - Bulk |
| IRGI4056DPBF | 功能描述:IGBT 18A 600V W/DIO TO-220FP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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