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参数资料
| 型号： | IRGDDN600M06 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 800A I(C) |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V的五（巴西）国际消费电子展| 800A一（c） |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 388K |
| 代理商： | IRGDDN600M06 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRGDI520S02 | 功能描述:整流器 250 Volt IRCI RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| IRGI4045DPBF | 功能描述:IGBT 600V 11A W/DIO TO-220AB FP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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| IRGI4056DPBF | 功能描述:IGBT 18A 600V W/DIO TO-220FP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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