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参数资料
| 型号： | IRGPC56 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247AC |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五（巴西）国际消费电子展|第70A一（c）|至247AC |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | IRGPC56 |
IRGPC30KD2
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Case Temperature
1.56
1.60
1.64
1.68
1.72
1.76
1.80
0
10
20
30
40
50
60
T
R , Gate Resistance (
)
A
V = 480V
V = 15V
T = 25°C
I = 14A
0.1
1
10
100
-60
-40
-20
T , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
A
R = 23
V = 15V
V = 480V
I = 24A
I = 14A
I = 7.0A
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
V
Q , Total Gate Charge (nC)
A
V = 400V
I = 14A
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