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参数资料
| 型号： | IRGRDN400M12 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 400A I(C) |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV五（巴西）国际消费电子展|四楼一（c） |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | IRGRDN400M12 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGRDN600K06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 680A I(C) |
| IRGDDN400M12 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 400A I(C) |
| IRGDDN600K06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 680A I(C) |
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| IRGIH50FU | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-259VAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGRDN600K06 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 680A I(C) |
| IRGRDN600M06 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 800A I(C) |
| IRGS 14C40LPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk |
| IRGS10B60KD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGS10B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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