参数资料
型号: IRGRDN600M06
英文描述: TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 800A I(C)
中文描述: 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V的五(巴西)国际消费电子展| 800A一(c)
文件页数: 1/6页
文件大小: 388K
代理商: IRGRDN600M06
相关PDF资料
PDF描述
IRGDDN600M06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 800A I(C)
IRGDDN300K06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 340A I(C)
IRGDDN300M12 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 560A I(C)
IRGDDN400K06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 520A I(C)
IRGDDN400M06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 600A I(C)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRGS 14C40LPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk
IRGS10B60KD 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGS10B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGS10B60KDPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRGS10B60KDTRL 制造商:International Rectifier 功能描述: